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Fibra curta de aço inoxidável 316L ultrafina
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x| Comprimento | 80-100um | Embalagem | Flexível |
|---|---|---|---|
| Aplicação | Solução de filtro de gás semicondutor/filtros de gás de alta pureza | Material | Aço inoxidável 316L/Hastelloy C22/C59/Níquel 200 |
| Diâmetro | 1um/1.5um/2um | ||
| Destacar | Mídia filtrante metálica de 1μm,Fibra curta de aço inoxidável 316L ultrafina |
||
Elementos de filtro de metal de 1 μmNa escala nanométricapara purificação de gases de processo por semicondutores
Tipo de produto: fibras curtas de aço inoxidável 316L ultrafinas
Diâmetro da fibra: 1um/1,5um/2um disponível
Comprimento de corte: 80-100um
Composição química da matéria-prima ((Wt%))
|
Elementos |
C |
Sim |
- Não
|
Não.
|
Cr
|
Mo.
|
S
|
P
|
|
Padrão
|
≤ 0.03
|
≤ 1.00
|
≤ 2.00
|
10 ~ 14
|
16 ~ 18
|
2 ~ 3
|
≤ 0.03
|
≤ 0.045
|
|
Valor
|
0.028
|
0.56
|
0.5
|
10.85
|
16.97
|
2.1
|
0.003
|
0.027
|
Na fabricação de semicondutores, a manutenção de gases de processo de ultra-alta pureza é fundamental para evitar defeitos e garantir altos rendimentos.m os meios de filtragem metálicos desempenham um papel vital na purificação de gases, eliminando os contaminantes de partículas e contribuindo simultaneamente para o controlo da contaminação molecular atmosférica (CMA),que é essencial para a fabricação avançada de wafers.
Características e benefícios principais
Filtração de alta eficiência (1μm de retenção)
Captura partículas submicrônicas que podem causar defeitos nos processos de fotolitografia, gravação e deposição.
Reduz o risco de contaminação da superfície da bolacha, melhorando o rendimento.
Químicamente inerte e resistente à corrosão
Fabricados a partir de materiais de alta purezade aço inoxidável (316L), níquel ou ligas sinterizadaspara compatibilidade com gases agressivos (por exemplo, HF, HCl, NH3).
Resiste à desgaseificação, evitando contaminação adicional.
Capacidade de controlo AMC
Alguns filtros metálicos avançados incorporamTratamentos de superfície ou revestimentos(por exemplo, passivação, polir eletrónico) para minimizar a adsorção/dessorção de compostos orgânicos ou ácidos voláteis.
Ajuda a encontrarSEMI F21 AMC Classe 1requisitos para processos sensíveis como a litografia EUV.
Resistência a altas temperaturas e pressões
Desempenho estável em condições adversas (até 500°C ou superior para algumas ligas).
Adequado paraVDC, difusão e implantação de íonsAs linhas de gás.
Longa vida útil e limpeza
Reutilizável após limpeza (metodos ultrasônicos, químicos ou térmicos), reduzindo o custo de propriedade.
Projeto de queda de baixa pressão para fluxo de gás de eficiência energética.
Aplicações na fabricação de semicondutores
Fornecimento de gás de ultraalta pureza (UHP)(N2, Ar, H2, O2, etc.)
Processos de gravação e deposição(CVD, PVD, ALD)
Fotolitografia(Ambientes de VUE/DUV sensíveis à AMC)
Filtragem de gás a granel e filtragem no ponto de utilização (PoU)
Por que filtros metálicos em vez de alternativas?
Durabilidade superiorversus filtros poliméricos (que podem degradar e eliminar partículas).
Não há perda de fibrasao contrário dos filtros HEPA/ULPA tradicionais.
Melhor atenuação da AMCem comparação com os filtros de partículas normais.
Conformidade e normas
SEMI F20(Controlo de partículas)
SEMI F21(Classificação AMC)
A norma ISO 14644-1(Normas de salas limpas)
Conclusão
Medios de filtragem metálicos de 1 μmé uma solução robusta para purificação de gases semicondutores, combinandofiltragem de partículas, controlo de AMC e resistência químicapara satisfazer as exigências rigorosas da fabricação avançada de wafers.

