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Material de Hastelloy
Medios de filtragem metálicos de 1 μm para purificação de gases de processo de semicondutores --- Fabricação de wafers com controlo AMC

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xDuração | 80-100um | Packing | flexible |
---|---|---|---|
Application | Semi-conductor Gas Filter/High Purity Gas Filters Solution | Materiais | Aço inoxidável 316L/Hastelloy C22/C59/Níquel 200 |
Diâmetro | 1um/1.5um/2um |
Elemento filtrante de metal de 1μm (Escala nanométrica)para purificação de gás de processo de semicondutores
Tipo de produto: fibra curta de aço inoxidável 316L ultrafina
Diâmetro da fibra: 1um/1.5um/2um disponível
Comprimento de corte: 80-100um
Composição química da matéria-prima (Peso%)
Elementos |
C |
Si |
Mn
|
Ni
|
Cr
|
Mo
|
S
|
P
|
Padrão
|
≤0.03
|
≤1.00
|
≤2.00
|
10~14
|
16~18
|
2~3
|
≤0.03
|
≤0.045
|
Valor
|
0.028
|
0.56
|
0.5
|
10.85
|
16.97
|
2.1
|
0.003
|
0.027
|
Na fabricação de semicondutores, manter gases de processo de pureza ultra-alta é fundamental para evitar defeitos e garantir altos rendimentos. 1μm meios filtrantes de metal desempenham um papel vital na purificação de gás, removendo contaminantes particulados e também contribuindo para o controle de Contaminação Molecular Aerotransportada (AMC), o que é essencial para a fabricação avançada de wafers.
Principais Características e Benefícios
Filtragem de alta eficiência (retenção de 1μm)
Captura partículas submicronicas que podem causar defeitos em processos de fotolitografia, gravação e deposição.
Reduz o risco de contaminação da superfície do wafer, melhorando o rendimento.
Quimicamente inerte e resistente à corrosão
Feito de alta pureza aço inoxidável (316L), níquel ou ligas sinterizadas para compatibilidade com gases agressivos (por exemplo, HF, HCl, NH₃).
Resiste à liberação de gases, evitando contaminação adicional.
Capacidade de controle de AMC
Alguns filtros de metal avançados incorporam tratamentos de superfície ou revestimentos (por exemplo, passivação, eletropolimento) para minimizar a adsorção/dessorção de orgânicos voláteis ou ácidos.
Ajuda a atender SEMI F21 AMC Classe 1 requisitos para processos sensíveis como litografia EUV.
Resistência a alta temperatura e pressão
Desempenho estável em condições adversas (até 500°C ou superior para algumas ligas).
Adequado para CVD, difusão e implantação iônica linhas de gás.
Longa vida útil e capacidade de limpeza
Reutilizável após a limpeza (métodos ultrassônicos, químicos ou térmicos), reduzindo o custo de propriedade.
Design de baixa queda de pressão para fluxo de gás com eficiência energética.
Aplicações na fabricação de semicondutores
Fornecimento de gás de pureza ultra-alta (UHP) (N₂, Ar, H₂, O₂, etc.)
Processos de gravação e deposição (CVD, PVD, ALD)
Fotolitografia (ambientes EUV/DUV sensíveis a AMC)
Filtração de gás a granel e no ponto de uso (PoU)
Por que filtros de metal em vez de alternativas?
Durabilidade superior vs. filtros poliméricos (que podem degradar e liberar partículas).
Sem liberação de fibra ao contrário dos filtros HEPA/ULPA tradicionais.
Melhor mitigação de AMC em comparação com filtros de partículas padrão.
Conformidade e Padrões
SEMI F20 (Controle de Partículas)
SEMI F21 (Classificação AMC)
ISO 14644-1 (Padrões de Sala Limpa)
Conclusão
Meios filtrantes de metal de 1μm é uma solução robusta para purificação de gás de semicondutores, combinando filtragem de partículas, controle de AMC e resistência química para atender às exigências rigorosas da fabricação avançada de wafers.